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本发明提供的一种防缺陷的半导体器件蚀刻方法及半导体器件形成方法，应用于物理轰击蚀刻方式、化学蚀刻方式并行的蚀刻中，所述物理轰击蚀刻方式及化学蚀刻方式会在半导体器件蚀刻形成的多晶层表面留有阻碍蚀刻氧化物，所述蚀刻方法包括：通过对应所述阻碍蚀刻...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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