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本发明提供一种LTPS阵列基板及其制造方法。该方法包括：在包括形成栅极的基体上依次形成绝缘层、半导体层和正性光阻层；自基体背向栅极的一侧进行曝光以形成多晶硅层；在多晶硅层上形成源极和漏极；在绝缘层和部分源极上形成像素电极；在由源极和漏极上形...该专利属于深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司;武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。