LTPS阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种LTPS阵列基板及其制造方法。该方法包括：在包括形成栅极的基体上依次形成绝缘层、半导体层和正性光阻层；自基体背向栅极的一侧进行曝光以形成多晶硅层；在多晶硅层上形成源极和漏极；在绝缘层和部分源极上形成像素电极；在由源极和漏极上形成具有接触孔的平坦钝化层；在平坦钝化层上形成透明电极层，使得透明电极层可通过接触孔与栅极、源极和漏极电连接。本发明专利技术能够减少LTPS工艺所使用的光罩的类型及数量，简化制程并降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显不
，具体涉及一种LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低温多晶硅)阵列基板及其制造方法。
技术介绍
采用LTPS工艺的液晶显示装置由于具有较高的电子迀移率，能够有效减小TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的面积以提升像素的开口率，并且在增强显示亮度的同时能够降低功耗及生产成本，目前已成为液晶显示领域的研宄热点。但是LTPS工艺复杂，制备阵列基板(Array基板)所需的光罩(Mask)的类型及数量较多，导致制造流程繁多，无法降低生产成本。因此如何减少LTPS工艺所使用的光罩的类型及数量，实为目前企业需要努力的目标。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术实施例提供一种LTPS阵列基板及其制造方法，能够减少LTPS工艺所使用的光罩的类型及数量。本专利技术一实施例提供一种LTPS阵列基板的制造方法，包括:在基体上形成LTPS阵列基板的薄膜晶体管的栅极；在包括栅极的基体上依次形成绝缘层、半导体层和第一正性光阻层，绝缘层的上表面为一平面；自基体背向栅极的一侧进行曝光以形成多晶硅层；在多晶硅层上形成薄膜晶体管的源极和漏极；在绝缘层和一部分的源极上形成像素电极；在由源极和漏极组成的源漏电极层上形成平坦钝化层，并在平坦钝化层内形成接触孔以暴露栅极、源极和漏极的表面，接触孔位于多晶硅层以外的区域；在平坦钝化层上形成透明电极层，使得透明电极层可通过接触孔与栅极、源极和漏极电连接。其中，在包括栅极的基体上形成绝缘层之前，还在未被栅极覆盖的基体上形成缓冲层，且缓冲层的上表面和栅极的上表面构成一平面。其中，在未被栅极覆盖的基体上形成缓冲层的步骤包括:在包括栅极的基体上依次形成缓冲层、负性光阻层；自基体背向栅极的一侧进行曝光，以除去位于栅极正上方的负性光阻层；除去位于栅极正上方的缓冲层，且保留未被栅极覆盖的基体上的缓冲层。其中，在未被栅极覆盖的基体上形成缓冲层的步骤包括:在包括栅极的基体上依次形成缓冲层、第二正性光阻层；自基体朝向栅极的一侧进行曝光，以除去位于栅极正上方的第二正性光阻层；除去位于栅极正上方的缓冲层，且保留未被栅极覆盖的基体上的缓冲层O其中，自基体背向栅极的一侧进行曝光以形成多晶硅层的步骤包括:自基体背向栅极的一侧进行曝光，以仅在对应于栅极的正上方的第一区域保留第一正性光阻层；向除第一区域之外的半导体层注入第一杂质离子；自基体背向栅极的一侧进行曝光，以在栅极的正上方形成第二区域的第一正性光阻层，第二区域小于第一区域；向除第二区域之外的半导体层注入第二杂质离子；除去第二区域的第一正性光阻层。其中，除去第二区域的第一正性光阻层的步骤之后还包括:在多晶硅层上涂布光阻层并根据预定图案进行曝光；蚀刻去除预定图案以外的多晶硅层；除去剩余的光阻层。其中，第一杂质离子和第二杂质离子分别为N+、N —型杂质离子。其中，自基体背向栅极的一侧进行曝光以形成多晶硅层的步骤包括:自基体背向栅极的一侧进行曝光，以仅在对应于栅极的正上方的第一区域保留第一正性光阻层；向除第一区域之外的半导体层注入P型杂质离子；自基体背向栅极的一侧进行曝光，以在栅极的正上方形成第二区域的第一正性光阻层，第二区域小于第一区域；除去第二区域的第一正性光阻层。本专利技术另一实施例提供一种LTPS阵列基板，包括:基体；栅极，位于基体上；依次形成于包括栅极的基体上的绝缘层、多晶硅层，其中绝缘层的上表面为一平面；源极和漏极，位于多晶硅层上；像素电极，位于绝缘层和一部分的源极上；平坦钝化层，位于由源极和漏极组成的源漏电极层上，平坦钝化层内形成接触孔以暴露栅极、源极和漏极的表面，接触孔位于多晶硅层以外的区域；透明电极层，位于平坦钝化层上且透明电极层可通过接触孔与栅极、源极和漏极电连接。其中，LTPS阵列基板还包括缓冲层，缓冲层位于未被栅极覆盖的基体上，且缓冲层的上表面和栅极的上表面构成一平面。本专利技术实施例的LTPS阵列基板及其制造方法，自基体背向栅极的一侧进行曝光，即利用不透光的栅极进行曝光以形成多晶硅层，在多晶硅层的制程中无需使用光罩，从而能够减少LTPS工艺所使用的光罩的类型及数量，简化制程并降低生产成本。【附图说明】图1是本专利技术的LTPS阵列基板一实施例的制造方法的流程图；图2是本专利技术的制造方法中形成栅极的示意图；图3是本专利技术的制造方法中形成绝缘层、半导体层和正性光阻层的示意图；图4是本专利技术的制造方法中形成未图案化的多晶硅层的示意图；图5是本专利技术的制造方法中形成图案化的多晶硅层的示意图；图6是本专利技术的制造方法中形成源极和漏极的示意图；图7是本专利技术的制造方法中形成像素电极的示意图；图8是本专利技术的制造方法中形成透明电极层的第一剖视图；图9是本专利技术的制造方法中形成平坦钝化层的示意图；图10是本专利技术的制造方法中形成透明电极层的第二剖视图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术所提供的示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。图1是本专利技术的LTPS阵列基板一实施例的制造方法的流程图。如图1所示，本实施例的制造方法包括以下步骤:步骤11:在基体上形成LTPS阵列基板的薄膜晶体管的栅极。如图2所示，基体21用于形成液晶显示面板的LTPS阵列基板，所述基体21可为玻璃基体、塑料基体或可挠式基体。本实施例可以利用第一光罩对形成于基体21上的第一金属层进行曝光，并在曝光后进行显影、刻蚀等图案化制程以得到形成栅极22，其中可利用包含有磷酸、硝酸、醋酸以及去离子水的蚀刻液对第一金属层进行蚀刻，当然也可以采用干法蚀刻。当然，本实施例还可以通过其他方式得到栅极22，例如采用化学气相沉积(Chemical vapor deposit1n, CVD)、等离子化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemicalvapor deposit1n,PECVD)、派射、真空蒸镀或低压化学气相沉积等方法直接在基体21上形成具有预定图案的栅极22。其中，第一金属层可由金属，例如铝、钼、钛、铬、铜，或金属氧化物，例如氧化钛，或金属的合金或其它导电材料构成。步骤12:在包括栅极的基体上依次形成绝缘层、半导体层和正性光阻层，其中绝缘层的上表面为一平面。结合图3所示，在形成绝缘层25、半导体层26和正性光阻层27之前，本实施例需要在未被栅极22覆盖的基体21上形成缓冲层(Buffer layer) 23，具体过程包括但不限于:首先，在包括栅极22的基体21上依次形成缓冲层23、负性光阻层24。缓冲层23可以为氮化硅(SiNx)层、氧化硅(S1x)层或者其他非导电材料的组合，缓冲层23可用于防止基体21内的杂质在后续工艺中向上扩散而影响之后形成的低温多晶硅层的品质，氮化硅层和氧化硅层可以采用化学气相沉积、等离子化学气相沉积形成、溅射、真空蒸镀或低压化学气相沉积等方法形成，但不限于此。然后，自基体21背向栅极22的一侧进行曝光，位于栅极22正上方的负性光阻层24由于受到栅极22的遮挡而未曝光，因此可在显影时被灰化去除。最后，剥离除去剩余的负性光阻层24，再通过刻蚀除去位于栅极22正上方的缓冲层23，从而保留未覆盖栅极22的缓冲层23。本实施例形成缓冲层23的方式还可以为:首先，在包括栅极22的基体21上依次形成缓冲层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LTPS阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在基体上形成所述LTPS阵列基板的薄膜晶体管的栅极；在包括所述栅极的所述基体上依次形成绝缘层、半导体层和第一正性光阻层，其中所述绝缘层的上表面为一平面；自所述基体背向所述栅极的一侧进行曝光以形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成所述薄膜晶体管的源极和漏极；在所述绝缘层和一部分的所述源极上形成像素电极；在由所述源极和所述漏极组成的源漏电极层上形成平坦钝化层，并在所述平坦钝化层内形成接触孔以暴露所述栅极、所述源极和所述漏极的表面，所述接触孔位于所述多晶硅层以外的区域；在所述平坦钝化层上形成透明电极层，使得所述透明电极层可通过所述接触孔与所述栅极、所述源极和所述漏极电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王聪，杜鹏，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44