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本发明涉及包含阴离子骨架结构、掺杂剂和阳离子的化合物，其中：a.阴离子骨架结构的特征是配位四面体GL4-，其中G表示硅，其可被C、Ge、B、Al或In部分替代，且L表示N和O，条件是N构成L的至少60原子％，b.阳离子选自碱土金属，条件是锶...
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