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本发明公开了一种通过工艺集成优化减小半导体器件性能调试难度的方法，包括进行浅沟槽隔离工艺，进行阱离子注入，完成多晶硅栅的制作并进行I/O器件的LDD离子注入，接着只进行PMOS PLDD离子注入，此处不进行NMOS NLDD离子注入，接着进...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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