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本发明属于半导体功率器件技术领域。为了克服现有方法制作的SiC UMOSFET器件栅槽侧壁陡直性低、底部具有子沟槽及表面粗糙度高的缺点，提供一种4H‑SiC UMOSFET栅槽的制作方法。该方法包括：首先在位于半导体衬底上的半导体外延层表面...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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