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本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，在现有技术中的形成作为IO器件的栅极氧化层以及核心器件的伪栅极氧化层的第一氧化层的步骤之后，增加了去除第一氧化层位于核心区的部分并额外形成覆盖核心区与IO...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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