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本发明涉及用于改善晶片蚀刻不均匀性的系统和方法。衬底处理系统包括处理室，处理室包括介电窗和用于在处理期间支撑衬底的底座。气体供给系统向所述处理室供给气体。线圈邻近所述介电窗布置在所述处理室外侧。射频(RF)源供给RF信号至所述线圈以在所述处...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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