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本发明涉及纳米材料与微结构技术领域,公开了一种基于均匀的化学镀镍硅微通道衬底结构上生长均匀纳米结构材料的方法,其步骤包括:通过激光切割出所需形状的从硅衬底剥离的硅微通道,用化学镀镍的方法在微通道表面均匀生长一层镍导电层;调整沉积镍的时间使得...该专利属于华东师范大学;上海欧普泰科技创业有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华东师范大学;上海欧普泰科技创业有限公司授权不得商用。
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本发明涉及纳米材料与微结构技术领域,公开了一种基于均匀的化学镀镍硅微通道衬底结构上生长均匀纳米结构材料的方法,其步骤包括:通过激光切割出所需形状的从硅衬底剥离的硅微通道,用化学镀镍的方法在微通道表面均匀生长一层镍导电层;调整沉积镍的时间使得...