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本发明提供了具有不同宽度的栅极结构及其制造方法。提供了半导体器件结构及其制造方法的实施例。半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上方的第一金属栅极结构。第一金属栅极结构具有第一宽度。半导体器件结构进一步包括邻近第一金属栅极结构形成的第一接触件以...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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