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本发明公开了基于强耦合小尺寸金纳米棒的光信息存储介质，直径≤8nm的GNR膜中GNR密度增加到特定密度之上后，某些GNR的TPL显著提高而其他GNR的TPL显著降低，导致在单个像素中个别金纳米棒的双光子荧光占据了该像素亮度的很大比重。TPL...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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