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本发明提供一种发光二极管芯片，包括：衬底、在衬底上依次形成的缓冲层、N型半导体层、部分覆盖N型半导体层的发光层和P型半导体层，在所述N型半导体层上形成N电极区；超晶格反射层，包括形成在P型半导体层上的P电极超晶格反射层和形成在N电极区内、N...
该专利属于比亚迪股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪股份有限公司授权不得商用。

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