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本发明涉及一种GaN厚膜片CMP组合物及其制备方法，属于微电子辅助材料及超精密加工工艺技术领域，特别涉及一种含有固相催化剂的抛光组合物。本发明组合物包括去离子水、固相催化剂、氧化剂、抛光磨粒、pH调节剂，该抛光组合物的pH值为1.0-4.3...
该专利属于清华大学;深圳清华大学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;深圳清华大学研究院授权不得商用。

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