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本发明公开了互连结构和形成互连结构的方法。互连结构包括位于衬底上方的低k(LK)介电层；位于LK介电层中的第一导电部件和第二导电部件；沿着第一导电部件的第一侧壁的第一间隔件；沿着第二导电部件的第二侧壁的第二间隔件，其中，第二导电部件的第二侧...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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