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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，根据本发明的方法在形成高K介电层之后采用牺牲层以实现在NMOS区域和PMOS区域中分别形成金属栅极结构，同时，在功函数金属层和铝金属电极层之间添加形成阻挡层，以避免发生铝扩散，提高半导体器件的整体性能...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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