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本发明涉及一种去除深孔蚀刻后沟槽内残留物的方法。包括以下步骤：提供晶圆键合结构；晶圆键合结构包括键合在一起的第一片晶圆和第二片晶圆，第一片晶圆顶部蚀刻形成沟槽，沟槽内蚀刻形成有深孔；沟槽顶部和沟槽内有残留有光阻；采用反应气体去除沟槽顶部的光...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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