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一种分离栅存储器件及其形成方法。所述分离栅存储器件包括：半导体衬底；依次位于所述半导体衬底中的浮栅介质层和浮栅，所述浮栅的上表面齐平于或高于所述半导体衬底的上表面；依次位于所述浮栅上的控制栅介质层和控制栅；依次位于所述半导体衬底上的字线介质...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。