温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上的介质层内形成凹槽，并在所述凹槽以及介质层上的硬掩模层上形成金属层后，去除硬掩模层上的金属层，之后以采用碱性浆料的化学机械研磨工艺去除所述硬掩模层，以及部分金属层，直至所述凹槽内的金...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。