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本实用新型公开了一种带雪崩特性的GaN基肖特基二极管器件。器件包括将两个反向额定电压相同的GaN基肖特基二极管与Si基二极管并联，使得器件在反向工作时，当反向耐压超过器件的反向额定电压时，通过Si基二极管的雪崩击穿效应，固定反向电压，并且通...
该专利属于佛山芯光半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山芯光半导体有限公司授权不得商用。

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