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描述了具有增强稳定性的垂直自旋转移扭矩存储器(STTM)器件和制造具有增强稳定性的垂直STTM器件的方法。例如，用于磁性隧穿结的材料层叠置体包括固定磁性层。电介质层设置于所述固定磁性层上方。自由磁性层设置于所述电介质层上方。导电氧化物材料层...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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