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一种半导体存储器件及其制作方法，所述半导体存储器件包括多个双晶体管闪存单元，每个双晶体管闪存单元包括：半导体衬底；位于半导体衬底上分立的存储晶体管栅极堆叠结构和选择晶体管栅极堆叠结构；位于相邻的选择晶体管栅极堆叠结构之间的半导体衬底中的第一...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。