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本发明提供了垂直非易失性存储装置及其制造方法。其中一种垂直非易失性存储装置包括：栅电极，在垂直于基板的上表面的第三方向上堆叠在基板的第一区域中，该基板包括第一区域和围绕第一区域的第二区域；沟道，在第三方向上延伸穿过栅电极；导电焊盘，在第二区...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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