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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括晶体管，其中所述晶体管的沟道区包括非掺杂沟道区、基础掺杂区以及阈值电压设置区，可以减小交叠电容，并改善耗尽型沟道的迁移率和阈值电压变化，最终提高整个半导体器件的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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