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本发明提供一半导体结构，包含一基底，至少一鳍状结构群组以及多个次鳍状结构位于该基底上，其中该鳍状结构群组位于两个次鳍状结构之间，且各次鳍状结构的一顶面比该鳍状结构群组的一顶面低，以及一浅沟隔离位于该基底中，各该次鳍状结构被该浅沟隔离完全覆盖...
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