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半导体器件制造技术
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文档序号:11788030
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本发明涉及一种半导体器件。抑制对抗半导体器件的异常电流的电阻减小。在第二方向上,第一晶体管夹在两个第二晶体管即第二晶体管中的第一第二晶体管和第二晶体管中的第二第二晶体管之间。与一个第二晶体管耦合的第二源极接触和第二漏极接触之间的距离和与另一...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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