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一种隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成沟槽；采用第一沉积工艺向所述沟槽内沉积绝缘材料，所述第一沉积工艺为从第一沉积速率开始随着沉积时间的增加不断增加沉积速率至第二沉积速率；采用第二沉积工艺继续向所述沟槽内沉积绝...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。