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一种射频集成电路芯片及其形成方法，所述射频集成电路芯片包括：绝缘体上半导体结构，其包括基底、埋氧化层和半导体衬底，所述半导体衬底中具有浅沟槽隔离结构；填充层，贯穿所述浅沟槽隔离结构和所述埋氧化层，并填充部分所述基底以将所述基底与所述浅沟槽隔...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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