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本发明涉及一种调控半导体量子阱材料Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合比值的方法，选用无掺杂高质量的半导体量子阱材料，用能量高于此半导体量子阱带隙的光照射样品，同时改变半导体量子阱的温度来调控量子阱中Rashba和Dressel...
该专利属于福州大学所有，仅供学习研究参考，未经过福州大学授权不得商用。

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