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本发明提供了一种提高NOR闪存数据保存能力的方法，包括：第一步骤，用于采用活性氧化工艺制备SiO2层；第二步骤，用于在活性氧化工艺完成之后对SiO2层执行N2O工艺掺氮处理，从而形成NOR闪存的浮栅晶体管单元的隧穿层。活性氧化工艺的反应特气...
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