下载存储器件及其形成方法的技术资料

文档序号:11685350

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一种存储器件及其形成方法,其中,存储器件的形成方法包括:提供表面具有存储单元的衬底,存储单元包括:第一介质层、浮栅层、第二介质层、控制栅层和第一掩膜层;在存储单元的侧壁表面形成第二掩膜层,第二掩膜层覆盖第一介质层、浮栅层和第二介质层的侧壁、...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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