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本发明提供一种基片刻蚀方法，其包括以下步骤：第一主刻蚀步骤，通过提高偏压功率来使基片形成沟槽形貌；第二主刻蚀步骤，通过降低偏压功率来减小在沟槽底部形成的凹槽；过刻蚀步骤，用于修饰基片的沟槽形貌；其中，在掩膜开始横向收缩时停止第一主刻蚀步骤，...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。