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一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，覆盖所述半导体衬底的硬掩膜层，所述硬掩膜层定义出鳍式场效应管的鳍部；以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的半导体衬底，形成鳍部；形成覆盖所述鳍部的隔离层，所述隔离层表面与所述硬掩膜层表面齐平；以...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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