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本发明公开了一种非光刻技术制备倒金字塔结构硅表面的方法。本发明首先采用氢氟酸乙醇溶液中电化学刻蚀的方法在N型单晶硅表面制备多孔硅覆盖的倒金字塔结构界面，然后采用碱性溶液浸泡的方法去掉多孔硅层获得倒金字塔结构表面。获得的金字塔结构是由四个{1...
该专利属于中国科学院兰州化学物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院兰州化学物理研究所授权不得商用。

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