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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层，在所述介电层中形成有凹槽；在所述凹槽内和所述介电层上形成相变材料层，所述相变材料层填满所述凹槽；在所述相变材料层上形成保护层；以及执行化学机...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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