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本实用新型提供一种双沟槽场效应管，包含若干行器件结构，一行器件结构中源区左侧设置为源区接触电极、右侧设置为沟槽栅，其相邻行中的源区左侧设置为沟槽栅、右侧设置为源区接触电极，如此重复交替，形成双沟槽场效应管的沟槽栅版图布局结构，其中，每一行的...
该专利属于无锡同方微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡同方微电子有限公司授权不得商用。

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