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本发明公开了一种用于优化中压沟槽栅MOS加工工艺的方法，该方法的最小光刻层数为3层，分别是沟槽光刻、接触孔光刻、金属层光刻；利用沟槽光刻同时定义沟槽图形和body注入图形，其中body注入图形包括保护环结构。然后充分利用CVD氧化硅成膜特性...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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