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本发明公开了一种检测刻蚀负载效应的方法，通过预先定义密集沟槽结构、稀疏沟槽结构、完全刻蚀区和完全未刻蚀区等量测结构，然后光学线宽测量仪测量刻蚀后每个量测结构的量测参数，如关键尺寸、膜厚等，并通过简单数据处理即可得到刻蚀过程中该量测参数的负载...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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