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本发明提供一种制备多晶硅薄膜并控制其晶粒尺寸的方法，包括以下步骤：清洗基板，在基板上沉积非晶硅薄膜，然后将其置于快速退火炉中，采用分光谱技术对薄膜进行不同光谱波段下的快速光热退火，按短波光照、长波光照的顺序对非晶硅薄膜进行退火，利用短波段光...
该专利属于北京有色金属研究总院所有，仅供学习研究参考，未经过北京有色金属研究总院授权不得商用。

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