【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制备多晶硅薄膜并控制其晶粒尺寸的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：清洗基板，在基板上沉积非晶硅薄膜，然后将其置于快速退火炉中，采用分光谱技术对薄膜进行不同光谱波段下的快速光热退火，按短波光照、长波光照的顺序对非晶硅薄膜进行退火，利用短波段光谱的量子效应控制硅薄膜晶化过程的成核密度，利用长波段光谱的热效应使晶粒长大，最终生成具有一定晶粒尺寸的多晶硅薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，王吉宁，郝雷，刘晓鹏，蒋利军，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，
类型：发明
国别省市：北京;11
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