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一种非晶氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法技术
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文档序号:11535125
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本发明公开了一种非晶氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法。本发明的非晶氧化锌基薄膜晶体管包括:衬底、栅电极、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极;其中,沟道层的材料采用掺铝锡的氧化锌半导体材料,氧化铝含量为3%~9%(质量),氧化锡含量为3%~50%...
该专利属于北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学授权不得商用。
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