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本发明涉及用于容纳并且保持晶片的容纳装置，具有下面的特征：-保持面（1o），-用于将晶片保持在保持面（1o）上的保持装置和-补偿装置（3，4，5，6），用于对晶片的全局变形进行主动的、尤其是局部可控制的、至少部分的补偿。本发明还涉及用于使用...该专利属于EV集团E·索尔纳有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过EV集团E·索尔纳有限责任公司授权不得商用。
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本发明涉及用于容纳并且保持晶片的容纳装置，具有下面的特征：-保持面（1o），-用于将晶片保持在保持面（1o）上的保持装置和-补偿装置（3，4，5，6），用于对晶片的全局变形进行主动的、尤其是局部可控制的、至少部分的补偿。本发明还涉及用于使用...