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本发明描述了自旋转矩磁性集成电路及其器件。自旋转矩磁性集成电路包括设置在基底上方的第一自由铁磁层。非磁性层设置在所述第一自由铁磁层上方。包括多个写入柱和多个读取柱，每个柱设置在所述非磁性层上方并且包括固定铁磁层。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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