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本发明描述用于沟槽侧壁平坦化的硅蚀刻的方法。在一个实施例中，一种方法涉及经由等离子体蚀刻平坦化半导体晶圆中形成的沟槽的侧壁。该方法包括利用自氟气产生的等离子体定向蚀刻半导体晶圆以平坦化沟槽的侧壁，该沟槽具有由诸如氧或聚合气体的第二处理气体产...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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