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描述一种制造字线保护结构的方法以及系统。如所述，该字线保护结构包括多晶硅结构，形成于邻近存储器核心区域。该多晶硅结构包括位于该多晶硅结构核心侧的第一掺杂区域以及位于该多晶硅结构脊柱侧的第二掺杂区域。一未掺杂区域位于该第一及第二掺杂区域之间。...
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