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衬底结构、CMOS器件和制造CMOS器件的方法技术
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文档序号:11437493
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本发明公开了一种衬底结构、包括该衬底结构的互补金属氧化物半导体CMOS器件和制造该CMOS器件的方法,其中衬底结构包括:衬底;位于衬底上的由包括硼B和/或磷P的材料形成的至少一个晶种层;以及位于晶种层上的缓冲层。该衬底结构可减小缓冲层的厚度...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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