温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明揭示了一种射频结构及其形成方法。该方法包括：提供前端结构，包括衬底，形成于所述衬底上的埋氧化层、形成于所述埋氧化层上的有源区及浅沟槽隔离；在所述前端结构上涂敷光阻并进行图案化；以图案化的光阻为掩膜，进行刻蚀形成第一通孔，所述第一通孔延...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。