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本发明提供了一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法，包括如下步骤：首先在清洁烘干后的硅基底上旋涂一定厚度的光刻胶，然后将旋涂有光刻胶的硅片固定在一个特别设计的铸钢架上，钢架倾斜角度为15°，之后对硅片上的光刻胶进行两次曝光，第...
该专利属于太原理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过太原理工大学授权不得商用。

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