一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法技术

本发明专利技术提供了一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法，包括如下步骤：首先在清洁烘干后的硅基底上旋涂一定厚度的光刻胶，然后将旋涂有光刻胶的硅片固定在一个特别设计的铸钢架上，钢架倾斜角度为15°，之后对硅片上的光刻胶进行两次曝光，第一次曝光完成后将硅片在其所在平面内旋转180°，进行第二次曝光，两次曝光结束即完成了斜光刻的曝光过程，最后显影形成“X”型三维电极阵列结构，并制备三维微电极。本发明专利技术从设计工艺的角度出发，通过改进曝光方式来提高三维阵列结构的比表面积，相比传统垂直电极阵列结构，“X”型阵列表现出深宽比高、比表面积大而且结构稳定等特点。因此，该结构在MEMS超级电容器电极结构设计中可被广泛采用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法，其特征在于包括以下步骤：S1：选取硅片作为基底，并对硅片进行清洗、烘干；S2：在硅片上旋涂上光刻胶,然后将硅片和掩膜板通过铸钢架倾斜固定：S3：对固定好的硅片先进行第一次曝光，然后将硅片在其所在平面内旋转180°，进行第二次曝光；S4：曝光结束后，对硅片上的光刻胶进行显影，形成“X”型三维电极阵列结构；S5：在“X”型三维电极阵列结构表面采用电化学沉积、溅射方法沉积电极活性物质功能薄膜，得到三维微电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，赵清华，胡文秀，李大维，张君慧，张文栋，
申请(专利权)人：太原理工大学，
类型：发明
国别省市：山西;14