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本发明揭示了一种氮化钽反应离子刻蚀方法，所述刻蚀方法包括如下步骤：步骤S1、将带有氮化钽膜的基片放入电感耦合反应离子刻蚀机台的反应腔室中；步骤S2、向反应腔室中通入刻蚀气体；主要刻蚀气体为含有氟F或/和氯Cl或/和溴Br的气体，辅助刻蚀气体...
该专利属于上海矽睿科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海矽睿科技有限公司授权不得商用。

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