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具有嵌入式ROM的SRAM。集成电路包括第一和第二存储单元，其包括分别具有耦合于相应第一和第二阱偏置电压的体结的第一上拉晶体管。第一和第二上拉晶体管的漏极分别耦合于第一真实位线和第一互补位线。第二存储单元包括第一和第二上拉晶体管，每个第一和...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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